温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WML26N60C4
600V、0.16Ω超结功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM C4适用于对功率密度和效率有较高要求的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML26N60C4
- 商品编号
- C702924
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
WMOST™ C4是威兆（Wayon）的第四代超结MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOST™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 650 V
- 典型RDS(on) = 0.16 Ω
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 无铅镀层、无卤
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器
相似推荐
其他推荐