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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.775nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
WMOSSTM C4是威兆(Wayon)的第四代超结MOSFET产品系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 最大结温(Tj)下,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.13 Ω
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 无铅电镀、无卤
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器