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WMN26N60C4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WMN26N60C4

1个N沟道 耐压:600V 电流:18A

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商品型号
WMN26N60C4
商品编号
C702926
商品封装
TO-262-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)135W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)22.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.31nF
反向传输电容(Crss)1.5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WMOST™ C4是威兆(Wayon)的第四代超结MOSFET产品系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOST™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 最大结温(Tj)下,VDS = 650 V
  • 典型RDS(on) = 0.16 Ω
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 无铅镀层、无卤

应用领域

-LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器

数据手册PDF