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TNM01K100MX
1个N沟道 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：100V, 3A。 RDS(ON) = 100mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的封装，利于散热。应用：网络。 电池管理系统（BMS）
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM01K100MX
- 商品编号
- C6423776
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.227267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 100V、3A
- RDS(ON) = 100 mΩ(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 130 mΩ(典型值),VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
- 网络
- 电池管理系统(BMS)
- 手持式电动工具
- 直流-直流电源管理
- 音频放大器
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