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LMG1020YFFR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMG1020YFFR

适用于1ns脉冲宽度应用的5V、7A、5A低端氮化镓(GaN)和MOSFET驱动器

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描述
栅极驱动IC@@驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4.75V~5.25V 峰值灌电流:5A 峰值拉电流:7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125
商品型号
LMG1020YFFR
商品编号
C6423790
商品封装
BGA-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)7A
工作电压4.5V~5.5V
上升时间(tr)400ps
属性参数值
下降时间(tf)500ps
传播延迟 tpLH3ns
传播延迟 tpHL3ns
特性欠压保护(UVP);过热保护(OPT)
工作温度-55℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.7V~2.6V
输入低电平(VIL)1.1V~1.8V
静态电流(Iq)56uA

商品概述

LMG1020YF器件是一款单通道低端驱动器,专为高速应用中的GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动而设计,这些高速应用包括激光雷达、飞行时间测量、面部识别以及任何涉及低端驱动器的电源转换器。LMG1020YF的简单设计使其具有3纳秒的极快传播延迟和1纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻,可独立调节上拉和下拉沿的驱动强度。 该驱动器具备欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)功能,可应对过载或故障情况。LMG1020YF采用0.8mm×1.2mm的WCLSP封装,可在高频应用中最小化栅极回路电感并最大化功率密度。

商品特性

  • 用于GaN和硅FET的低端超快速栅极驱动器
  • 1 ns最小输入脉冲宽度
  • 典型3.0 ns,最大4.5 ns传播延迟
  • 5 V电源电压
  • 欠压锁定和过温保护

应用领域

  • 激光雷达
  • 飞行时间激光驱动器
  • 基于GaN的电源转换器同步整流器

数据手册PDF