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VBZA9358
2个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOSFET功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-12A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZA9358
- 商品编号
- C700604
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V；13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |