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VBZE12N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZE12N06
- 商品编号
- C700622
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单