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VBZC8205B
2个N沟道 耐压:25V 电流:6.6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N+NMOSFET，采用Trench技术制造，适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。TSSOP8；2个N—Channel沟道,25V；6.6A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZC8205B
- 商品编号
- C700612
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；32mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单