VBZA9926
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,20V;7.1A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=0.6~1.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZA9926商品编号
C700607商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.142克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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