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FDD6670A-NL
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDD6670A-NL
- 商品编号
- C6396154
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3592克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 80 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5.5 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的封装。
应用领域
- 网络
- 负载开关
- LED应用