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AOD403
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AOD403
- 商品编号
- C6396161
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46964克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 84W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -80 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 7.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 开关应用