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IRS2186SPBF

高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立高低侧输出通道，采用HVIC和CMOS输入技术

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2186SPBF
商品编号: C71903
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.286克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	22ns
	下降时间(tf)	18ns

商品概述

IRS2186(4) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 600 V。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
可在高达 +600 V 的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压
抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
双通道欠压锁定
与 3.3 V 和 5 V 逻辑兼容
双通道传播延迟匹配
逻辑地和功率地偏移 +/-5 V
较低的 di/dt 栅极驱动器，具有更好的抗噪性
输出源/灌电流为 4 A / 4 A
符合 RoHS 标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	交错导通保护