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MX25L8006EM2I-12G
3V、8Mbit [x 1/x 2] CMOS串行闪存存储器
- 描述
- 8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L8006EM2I-12G
- 商品编号
- C71947
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 86MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us | |
| 块擦除时间(tBE) | 400ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
- MX29LV320EBTI-70G
- 2.54-2*9P母
- TS5V330PWR
- SN74HC573NSR
- 25121WF3901T4E
- 17-21/BHC-XL2M2TY/3T
- 17-215UYC/S530-A3/TR8
- 17-21SURC/S530-A3/TR8
- 19-213/Y2C-CQ2R2L/3T(CY)
- 19-213SURC/S530-A3/TR8
- 19-213SYGC/S530-E1/TR8
- 19-217/BHC-ZL1M2RY/3T
- 19-217/G7C-AN1P2/3T
- 19-217/GHC-YR1S2/3T
- 19-217/R6C-AL1M2VY/3T
- 19-21SURC/S530-A2/TR8
- IRM-H600JW/TR2
- IRM-H920J5/TR2
- IRM-56384
- PT928-6C(6-1)
- IR928-6C(6-2)