TK100L60W,VQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:100A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK100L60W,VQ
- 商品编号
- C6332846
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 797W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF |
商品概述
该功率MOSFET系列采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET™工艺开发，此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用的高级高效隔离式DC - DC转换器中的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.015Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 5 mA)
应用领域
-开关稳压器