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TK65E10N1,S1X
1个N沟道 耐压:100V 电流:148A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VtA = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK65E10N1,S1X
- 商品编号
- C6332866
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,32.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）（栅源电压VGS = 10 V）
- 低漏电流：漏源反向电流IDSS = 10 μA（最大值）（漏源电压VDS = 100 V）
- 增强模式：开启电压V_th = 2.0 至 4.0 V（漏源电压VDS = 10 V，漏极电流ID = 1.0 mA）
应用领域
- 开关稳压器