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XPH3R114MC,L1XHQ
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IHSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式：Vth = -1.0至-2.1V(VDS = -10V ID = -1.0mA)。应用：汽车。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPH3R114MC,L1XHQ
- 商品编号
- C6336945
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W；960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.11nF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS (ON) = 1.0 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.5 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 500V）
- 增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）