TPHR6503PL1,LQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPHR6503PL1,LQ
- 商品编号
- C6339117
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 210W；960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON) 5.5 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷，典型值为154 nC（典型值）
- 低反向传输电容Crss，典型值为260 pF（典型值）
- 无铅
相似推荐
其他推荐