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SSM3J130TU,LF
场效应晶体管，P沟道硅MOS型
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- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J130TU,LF
- 商品编号
- C6342361
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 5.2 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 14 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.1 至 2.1 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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