TPH4R10ANL,L1Q
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性:高速开关。 小栅极电荷:Qsw = 21 nC(典型值)。 小输出电荷:QBS = 74 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R10ANL,L1Q
- 商品编号
- C6339113
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 21 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 74 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
- TPH4R803PL,LQ
- TPHR6503PL1,LQ
- TSM-107-01-S-DV-005
- TSM-107-01-S-DV-012
- TSM-107-02-SM-SV
- TPI 180-124A-M
- TSM-107-04-F-SH
- TPI 300-115-M
- TSM-107-04-T-SV
- TPI 65-153A-JP
- TSM-108-01-L-DH-TR
- TPL-5.0/10X20F
- TSM-108-01-L-MT
- TPLH-3R0/25WR16X26
- TSM-108-01-L-SH
- TSM-108-01-LM-DV
- TSM-108-01-S-DH
- TSM-108-01-S-SH-003
- TSM-108-01-SM-SV
- TSM-108-02-H-DV
- TSM-108-02-TM-SV


