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TK33S10N1L,LXHQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK33S10N1L,LXHQ
- 商品编号
- C6332858
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.01nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 1.02 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.5至3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.17 mA）
应用领域
- 开关稳压器