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FDS4435A-VB
P沟道；电压：30V；电流：9A；导通电阻：18(mΩ)
- 描述
- 特性：无卤。 沟槽功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：负载开关。 笔记本适配器开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS4435A-VB
- 商品编号
- C693250
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单