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IRF7303TR-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100%进行IUS测试。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：机顶盒。 低电流DC/DC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7303TR-VB
- 商品编号
- C693259
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒-低电流DC/DC转换器