FDD8647L-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD8647L-VB商品编号
C693253商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.396克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 85A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 3.13W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 80nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.38nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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