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SIDR622DP-T1-RE3引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIDR622DP-T1-RE3

1个N沟道 耐压:150V 电流:64.6A 56.7A

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私有库下单最高享92折
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。应用：同步整流。 初级侧开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIDR622DP-T1-RE3
商品编号
C6296633
商品封装
PowerPAKSO-8DC​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)64.6A；56.7A
导通电阻(RDS(on))17.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W；6.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)1.516nF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 顶部散热特性为热传递提供了额外途径

应用领域

  • 同步整流
  • 初级侧开关
  • 高功率密度DC/DC
  • H桥
  • 电机驱动控制

数据手册PDF

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