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S25HS512TDPBHB010引脚图
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S25HS512TDPBHB010

S25HS512TDPBHB010

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商品型号
S25HS512TDPBHB010
商品编号
C6288923
商品封装
BGA-24(6x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
属性参数值
功能特性ECC纠错;上电复位

商品特性

  • 采用45纳米存储技术,每个存储单元可存储两位数据
  • 提供多种扇区架构选项:统一扇区、混合配置1、混合配置2
  • 页编程缓冲区为256或512字节
  • 包含1024字节一次性可编程安全硅阵列
  • 支持多种四线串行外设接口协议,包括1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D
  • 单倍数据速率模式最高速度可达83 MBps
  • 双倍数据速率模式最高速度可达102 MBps
  • 支持双线串行外设接口1S-2S-2S协议
  • 支持标准串行外设接口1S-1S-1S协议
  • 功能安全符合ISO26262 ASIL B标准并支持ASIL D的NOR闪存
  • 架构提供高耐久度和长数据保持分区
  • 数据完整性循环冗余校验可检测内存阵列错误
  • 安全启动功能可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
  • 内置纠错码可纠正内存阵列数据的单位错误并检测双位错误
  • 提供扇区擦除状态指示,用于擦除过程中断电的情况
  • 提供传统块保护和高级扇区保护功能
  • 上电后自动启动功能可立即访问内存阵列
  • 支持通过标准串行闪存复位信令协议、复位引脚或数据引脚进行硬件复位
  • 支持串行闪存可发现参数,用于描述设备功能和特性
  • 提供设备识别、制造商识别和识别功能
  • 主阵列具有高耐久度,具体取决于设备容量
  • 4KB扇区的最小擦写次数为300,000次
  • 数据保持时间最小为25年
  • 工作电压范围:高速温度等级为1.7 V 至 2.0 V,宽温等级为2.7 V 至 3.6 V
  • 提供多种工业级和汽车级温度范围
  • 提供多种封装形式,包括16引脚小外形集成电路、24球栅阵列和8触点晶圆级小外形无引线封装

数据手册PDF