S25HS512TDPNHB013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS512TDPNHB013
商品编号: C6288929
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.223克(g)

商品概述

SEMPER Flash with Quad SPI系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT NOR闪存器件。该系列器件支持传统的单比特串行输入输出，可选的双比特以及四比特宽度的Quad I/O和Quad Peripheral Interface协议。此外，QIO和QPI协议支持DDR读取事务，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该系列器件提供灵活的扇区架构，地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列，或混合配置。页面编程缓冲区在单次编程操作中可配置为256字节或512字节。该器件采用多芯片封装，包含双芯片封装或四芯片封装堆叠芯片，所有芯片的控制信号在封装内部连接在一起。该系列包含多种密度，具有1.8 V和3.0 V核心电压选项。器件控制逻辑分为两个并行操作部分：主机接口控制器和嵌入式算法控制器。

商品特性

采用45纳米MIRRORBIT技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
提供双芯片封装和四芯片封装选项
提供统一或混合扇区架构配置
页面编程缓冲区为256或512字节
提供1024字节的一次性可编程安全硅阵列
支持Quad SPI、Dual SPI和SPI接口及多种协议
支持SDR和DDR模式，提供不同的最大读取速率
提供功能安全特性，符合ISO26262标准
提供高耐用性和长数据保持分区
提供数据完整性CRC、安全启动、内置错误校正码和扇区擦除状态指示器
提供传统块保护和高级扇区保护功能
支持通过CS#信号、独立RESET#引脚或DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
提供串行闪存可发现参数、器件标识、制造商标识和标识
主阵列提供至少2，560，000次编程-擦除周期
4 KB扇区提供至少300，000次编程-擦除周期
数据保持时间至少25年
工作电压范围：1.7 V 至 2.0 V 或 2.7 V 至 3.6 V
提供工业级、工业增强级及多种汽车级温度范围选项
采用24球BGA封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~2V
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	ECC纠错

S25HS512TDPNHB013

商品参数

商品概述

商品特性

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