S29GL01GS11TFIV20

128Mb/256Mb/512Mb/1Gb GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0V

描述

采用65纳米工艺技术制造。这些设备提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

品牌名称

Infineon(英飞凌)

商品型号

S29GL01GS11TFIV20

商品编号

C6288961

商品封装

TFSOP-56-18.4mm​

包装方式

托盘

商品毛重

1.721克(g)