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TSG120N10AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TSG120N10AT
- 商品编号
- C691714
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.766nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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