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TMP160N10A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TMP160N10A

1个N沟道 耐压:100V 电流:150A

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品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TMP160N10A
商品编号
C691702
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)285W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)180nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)9nF@25V
反向传输电容(Crss)453pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量(EAS)下稳定性良好
  • 采用散热性能出色的封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF