温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 800W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 550nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 低本征栅极电阻
- 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
- 快速本征二极管
- 扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 雪崩额定
- 低RDS(ON)和 QG
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-可编程负载-直流-直流转换器-电流调节器-电池充电器-直流斩波器-温度和照明控制