IXTX210P10T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.04kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 69.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 超低导通电阻-雪崩额定-低封装电感-易于驱动和保护-工作温度达175°C-快速本征二极管-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动器
- 42V电源总线
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 24V和48V系统的初级开关
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 电子气门机构系统
- 大电流开关应用
- 高压同步整流器