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IXTP24N65X2实物图
  • IXTP24N65X2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP24N65X2

650V 24A N沟道增强型功率MOSFET

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描述
特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
商品型号
IXTP24N65X2
商品编号
C6280802
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))145mΩ@10V
耗散功率(Pd)390W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

这些器件是基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH™水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻,使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON)和低 QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC 转换器
  • PFC 电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF