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IMT65R260M1HXUMA1
耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R260M1HXUMA1
- 商品编号
- C6276618
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但更优，因为它具有绝缘安装孔。它还能提供更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 大电流下开关性能优化
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温Ti, max = 175°C,热性能优异
- RDS(on)和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一
应用领域
-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能与电池化成-D类放大器