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IMT65R260M1HXUMA1
耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R260M1HXUMA1
- 商品编号
- C6276618
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 201pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
650 V CoolSiCTM基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料的特性,650 V CoolSiCTM MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣的工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 大电流下开关性能优化
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温Ti, max = 175°C,热性能优异
- RDS(on)和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一
应用领域
-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能与电池化成-D类放大器