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IPD034N06N3GATMA1
1个N沟道 耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD034N06N3GATMA1
- 商品编号
- C6279878
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -6.5A 时，导通电阻（RDS(ON)）<35mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -4.6A 时，导通电阻（RDS(ON)）<40mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（ID）为 -2.6A 时，导通电阻（RDS(ON)）<50mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制（PWM）应用等特殊设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物