IPDD60R170CFD7XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:19A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDD60R170CFD7XTMA1
- 商品编号
- C6279922
- 商品封装
- HDSOP-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 137W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.016nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计导入过程中不影响其易实现性。
商品特性
-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC应用 - 服务器
- 电信
- 电动汽车充电