温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPT65R125CFD7XTMA1

650V CoolMOs CFD7超结功率器件

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT65R125CFD7XTMA1
商品编号: C6280047
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1.105克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。通孔版本（IRFBC20L、SiHFBC20L）可用于薄型应用。

商品特性

超快速体二极管
650 V击穿电压
同类最佳的RDS(on)
降低的开关损耗
RDS(on)随温度变化小

应用领域

适用于软开关拓扑
针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	23A
	导通电阻(RDS(on))	125mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	140W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	32nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.566nF
	反向传输电容(Crss)	656pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道