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LTC4444HMS8E-5#TRPBF

高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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描述: 是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC4444HMS8E-5#TRPBF
商品编号: C688581
商品封装: MSOP-8-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1175克(g)

商品参数

商品概述

LTC4444-5是一款高频高压栅极驱动器，可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。 LTC4444-5配置有两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部进行电平转换，以连接自举电源，该电源可在高于地电位114V的电压下工作。 LTC4444-5包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。自适应直通保护可防止两个MOSFET同时导通。

商品特性

自举电源电压高达114V
宽VCC电压范围：4.5V至13.5V
自适应直通保护
1.4A峰值高端栅极上拉电流
1.75A峰值低端栅极上拉电流
1.5Ω高端栅极驱动器下拉电阻
0.75Ω低端栅极驱动器下拉电阻
驱动1nF负载时，高端栅极下降时间为5ns
驱动1nF负载时，高端栅极上升时间为8ns
驱动1nF负载时，低端栅极下降时间为3ns
驱动1nF负载时，低端栅极上升时间为6ns
可驱动高端和低端N沟道MOSFET
欠压锁定
采用热增强型8引脚MSOP封装

应用领域

分布式电源架构
汽车电源
高密度电源模块
电信系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~13.5V
	上升时间(tr)	8ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	5ns
	传播延迟 tpLH	33ns
	传播延迟 tpHL	24ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	2.25V
	输入低电平(VIL)	2.75V
	静态电流(Iq)	320uA