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LTC4444IMS8E-5#TRPBF实物图
  • LTC4444IMS8E-5#TRPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC4444IMS8E-5#TRPBF

LTC4444IMS8E-5#TRPBF

描述
高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC4444IMS8E-5#TRPBF
商品编号
C688585
商品封装
MSOP-8-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.233385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.75A
拉电流(IOH)1.4A
工作电压4.5V~13.5V
属性参数值
上升时间(tr)-
下降时间(tf)-
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性-
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

LTC4444-5是一款高频高压栅极驱动器,可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。 LTC4444-5配置有两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部进行电平转换,以连接自举电源,该电源可在高于地电位114V的电压下工作。 LTC4444-5包含欠压锁定电路,激活时可禁用外部MOSFET。自适应直通保护可防止两个MOSFET同时导通。

商品特性

  • 自举电源电压高达114V
  • 宽VCC电压范围:4.5V至13.5V
  • 自适应直通保护
  • 1.4A峰值高端栅极上拉电流
  • 1.75A峰值低端栅极上拉电流
  • 1.5Ω高端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.75Ω低端栅极驱动器下拉电阻
  • 驱动1nF负载时,高端栅极下降时间为5ns
  • 驱动1nF负载时,高端栅极上升时间为8ns
  • 驱动1nF负载时,低端栅极下降时间为3ns
  • 驱动1nF负载时,低端栅极上升时间为6ns
  • 可驱动高端和低端N沟道MOSFET
  • 欠压锁定
  • 采用热增强型8引脚MSOP封装

应用领域

  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信系统

数据手册PDF

交货周期

订货15-17个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 2500 个)
起订量:2500 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

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