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LTC4449IDCB#TRMPBF实物图
  • LTC4449IDCB#TRMPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC4449IDCB#TRMPBF

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC4449IDCB#TRMPBF
商品编号
C688594
商品封装
DFN-8-EP(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0445克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)4.5A
属性参数值
拉电流(IOH)3.2A
工作电压4V~6.5V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)7ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

LTC4449是一款高频栅极驱动器,专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。 LTC4449的输入逻辑采用独立电源,以匹配控制器IC的信号摆幅。若未驱动输入信号,LTC4449将启动关断模式,关闭两个外部MOSFET。输入逻辑信号在内部进行电平转换,连接至自举电源,该电源可在高于地电位达42V的电压下工作。 LTC4449在驱动器和逻辑电源上均设有欠压锁定电路,当出现欠压情况时,会关闭外部MOSFET。此外,还内置了自适应直通保护功能,可防止因MOSFET交叉导通电流导致的功率损耗。 LTC4449采用2mm × 3mm DFN封装。

商品特性

  • 4V至6.5V VCC工作电压
  • 38V最大输入电源电压
  • 自适应直通保护
  • 轨到轨输出驱动器
  • 3.2A峰值上拉电流
  • 4.5A峰值下拉电流
  • 驱动3000pF负载时,TG上升时间为8ns
  • 驱动3000pF负载时,TG下降时间为7ns
  • 独立电源以匹配PWM控制器
  • 驱动双N沟道MOSFET
  • 欠压锁定
  • 低外形(0.75mm)2mm × 3mm DFN封装

应用领域

  • 分布式电源架构
  • 高密度电源模块
  • 同步降压转换器驱动器
  • LTC4449驱动3000pF容性负载

数据手册PDF

交货周期

订货39-41个工作日

购买数量

(500个/圆盘,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个500个/圆盘

总价金额:

0.00

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