温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LTC4446IMS8E#TRPBF

高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC4446IMS8E#TRPBF
商品编号: C688592
商品封装: MSOP-8-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.105克(g)

商品参数

商品概述

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446的顶部栅极驱动器上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω。底部栅极驱动器上拉峰值输出电流为3A，下拉输出阻抗为0.55Ω。 LTC4446配置有两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部进行电平转换，以连接自举电源，该电源可在高于地电位114V的电压下工作。 LTC4446包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。 LTC4446采用散热增强型8引脚MSOP封装。 LTC4446不具备自适应直通保护功能。如需具有自适应直通保护功能的类似驱动器，请参考以下图表。

商品特性

自举电源电压最高可达114V
宽VCC电压范围：7.2V至13.5V
顶部栅极上拉峰值电流为2.5A
底部栅极上拉峰值电流为3A
顶部栅极驱动器下拉阻抗为1.2Ω
底部栅极驱动器下拉阻抗为0.55Ω
驱动1nF负载时，顶部栅极下降时间为5ns
驱动1nF负载时，顶部栅极上升时间为8ns
驱动1nF负载时，底部栅极下降时间为3ns
驱动1nF负载时，底部栅极上升时间为6ns
可驱动高端和低端N沟道MOSFET
欠压锁定功能
散热增强型8引脚MSOP封装

应用领域

分布式电源架构
汽车电源
高密度电源模块
电信系统

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	2.5A

	属性	参数值
	工作电压	7.2V~13.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	5ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+85℃