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IXFN210N30P3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

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商品型号
IXFN210N30P3
商品编号
C6211440
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)192A
导通电阻(RDS(on))14.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)268nC@10V
输入电容(Ciss)16.2nF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征整流器
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动器
  • 高速功率开关应用
  • 源漏二极管

数据手册PDF