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IXFN26N100P实物图
  • IXFN26N100P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN26N100P

IXFN26N100P

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商品型号
IXFN26N100P
商品编号
C6211442
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))390mΩ@10V
耗散功率(Pd)595W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)197nC@10V
输入电容(Ciss)11.9nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 封装环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC
  • 快速恢复二极管
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机控制
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF