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IXFT16N120P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFT16N120P

IXFT16N120P

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商品型号
IXFT16N120P
商品编号
C6211483
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)16A
属性参数值
耗散功率(Pd)660W
阈值电压(Vgs(th))3.5V

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合各类追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化,具备出色的反向恢复性能,可省去额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

  • 700 V @ T_J = 150°C
  • 典型RDS(on) = 42 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Q_g = 121 nC)
  • 低有效输出电容(典型C_oss(eff.) = 1119 pF)
  • 经过100%雪崩测试
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车车载充电器(HEV-EV)-汽车DC/DC转换器(HEV-EV)

数据手册PDF