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IXFT16N120P

IXFT16N120P

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商品型号
IXFT16N120P
商品编号
C6211483
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)16A
属性参数值
耗散功率(Pd)660W
阈值电压(Vgs(th))3.5V

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合各类追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化,具备出色的反向恢复性能,可省去额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快恢复二极管
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压开关模式和谐振模式电源
  • 高压脉冲功率应用
  • 激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路
  • 高压 DC-DC 转换器
  • 高压 DC-AC 逆变器

数据手册PDF