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IXFR140N20P实物图
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IXFR140N20P

IXFR140N20P

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商品型号
IXFR140N20P
商品编号
C6211452
包装方式
-
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)7.5nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于汽车应用和各种其他应用的高效、可靠器件。

商品特性

  • 国际标准隔离封装
  • UL认证封装
  • 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 本征二极管速度快
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

数据手册PDF