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IXTK140N20P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTK140N20P

IXTK140N20P

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商品型号
IXTK140N20P
商品编号
C6211523
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
12.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)800W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)7.5nF
反向传输电容(Crss)1.8nF
工作温度-

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进,增强了热特性和多芯片能力,使其非常适合各种功率应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护

数据手册PDF