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DMP3099LQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光电源管理功能、直流 - 直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3099LQ-7
- 商品编号
- C6183705
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V；99mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 563pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
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