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DMPH3010LPSQ-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH3010LPSQ-13
- 商品编号
- C6183716
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.807nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 647pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
一款高压硅N沟道增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有高电压、低导通电阻rDS(ON)、低阈值电压和低泄漏电流的特点。
商品特性
- 低导通电阻rDS(ON)（典型值140mΩ，VGS = 4.5V时）
- 高电压（VDS = 100V）
- 逻辑电平兼容
- 2kV静电放电保护
应用领域
- 负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备