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DMT15H017SK3-13
1个N沟道 耐压:150V 电流:68A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT15H017SK3-13
- 商品编号
- C6183726
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.344nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行 100% 非箝位电感开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON)——最大限度降低功率损耗
- 低 Qg——最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层;符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC 转换器-背光照明