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DMT10H015LK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:52.7A
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- 描述
- 新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H015LK3-13
- 商品编号
- C6183724
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 261pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源（G-S）保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT6）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用