PJA3435_R1_00001
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3435_R1_00001
- 商品编号
- C6147559
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已按照相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低电压驱动(1.2V)。
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为负载开关、PWM应用等设计。
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。
- 采用符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 12 V、24 V和42 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管
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